三星拟未来20年于美国德州建11座芯片工厂 价值达约2000亿美元

据报道，三星集团正考虑今后20年在德克萨斯州设立11家芯片化工厂，价值可能会接近2000亿美元，并想象最少1万个就业机亦会。媒体辩称文件指出，大多数新的DRAM将在2034年投产，但有两座DRAM可能会要到2042年才能投产。

三星集团最近宣布，计划在德克萨斯州的艾伦建造一座170亿美元的半导体化工厂，同时这11家潜在的新的化工厂可能会也亦会分布在该州。两个在达拉斯，剩下的九个在艾伦。在10000个短时间中，左右有1800个在达拉斯，另外8200个在艾伦。三星集团目前为IBM(IBM.US)、英伟达(NVDA.US)、高通(QCOM.US)和自己等的公司生产芯片。媒体指出，该的公司正在寻求与艾伦和达拉斯的税收月票，以建设这些化工厂。

就在宾夕法尼亚州参议院以64票赞成、34票反对者通过一项军事援助宾夕法尼亚州国内半导体产业的修正案后不久，就传出了三星集团可能会投资2000亿美元的消息。该修正案将透过540亿美元的补贴，鼓励制造商在宾夕法尼亚州设立代化工厂，同时还将透过两星期四年的25%的新的税收抵免。

花旗高管Atif Malik指出，这项得到联邦众议院议长佩洛西赞扬的修正案最早可能会于下周通过。Malik补充引述，三星集团2023年DRAM电源的基本总成本为800亿美元，但如果"资金不足顺利完成且一级DRAM保持金融市场支出持平"，该总成本可能会多达840亿美元。

本月早些时候，三星集团电子估计，二季度实现了2018年以来的最佳利润，一小主因是服务器客户的存储芯片卖出强劲。

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